Título: | Color Tuning in LED Devices Through Strain Effects : Sintonización del Color en Dispositivos LED Mediante los Efectos de Tensión. |
Autores: | Sánchez Ospina, Néstor Eduardo; Universidad Católica de Pereira ; Galvez Coy, Diana Carolina; Universidad Católica de Pereira. ; Vargas Hernández, Carlos; Universidad Católica de Pereira |
Tipo de documento: | texto impreso |
Editorial: | Universidad Católica de Pereira, 2013-06-01 |
Dimensiones: | application/pdf |
Nota general: |
Entre ciencia e ingeniería; Vol. 7, núm. 13 (2013); 54 - 60 2539-4169 1909-8367 Copyright (c) 2016 Entre Ciencia e Ingeniería http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 |
Idiomas: | Español |
Palabras clave: | Artículos |
Resumen: |
In the last decades, the study of semiconductor materials has been intensified due to their potential applications in electronic mechanisms, optoelectronic devices and solar cells, among others. This type of heterostructure is important because its emission can accomplish a large range of wave lengths in visible spectrum. The ground state energy variation was studied for electrons and heavy-holes under strain effects, the results obtained were compared to those which did not take into account the effects of the tension, For this reason, they conducted simulations employing the FORTRAN programming language. Effective mass approximation was taken for simulations, besides a hydrogen-type trial function was used. Computations were made employing quantum wells based in CdTe/ZnTe heterostructure under strain effects with different widths defined in atomic layer, where it was analyzed the width of the well and height of the barrier. The simulation results indicatethat films with strain effect present a considerable increase in the quantum confinement properties for heavy-holes and a significant decrease in these properties for electrons compared to films without strain effects. En las últimas décadas se ha intensificado el estudio de materiales semiconductores por sus potenciales aplicaciones en electrónica, optoelectrónica, celdas solares, entre otros. Este tipo de heteroestructura es importante ya que su emisión óptica abarca un amplio rango de longitudes de onda del espectro visible. Se estudió la variación de la energía del estado base para electrones y huecos pesados teniendo en cuenta los efectos de tensión. Los resultados se compararon con los obtenidos cuando no se tienen en cuenta efectos de tensión y para esto se realizaron simulaciones empleando el lenguaje de programación FORTRAN. Para las simulaciones se tuvo en cuenta la aproximación de masa efectiva; además se empleó una función de prueba tipo hidrogenoide. Se obtuvieron resultados para pozos cuánticos basados en la heteroestructura CdTe/ ZnTe bajo efectos de tensión con diferentes espesores definidos en capas atómicas en función del ancho del pozo y la altura de la barrera. Los resultados de la simulación indican que para películas con efectos de tensión se presenta un aumento considerablemente en las propiedades de confinamiento cuántico para huecos y una disminución importante en estas propiedades para electrones comparada con películas sin efectos de tensión. |
En línea: | https://biblioteca.ucp.edu.co/OJS/index.php/entrecei/article/view/593 |
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