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Wang, K. ; Martin, R. W. ; O’Donnell, K. P. ; Katchkanov, V. ; Nogales Díaz, Emilio ; Lorenz, K. ; Alves, E. ; Ruffenach, S. ; Briot, O. | American Institute of Physics | 2005-09-12The intensity of Eu-related luminescence from ion-implanted GaN with a 10 nm thick AlN cap, both grown epitaxially by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is increased markedly by high-temperature annealing at 1300 ?C. Photoluminescen[...]
