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Wirths, S. ; Pampillón Arce, María Ángela ; San Andres Serrano, Enrique ; Starge, D. ; Tiedemann, A.T. ; Mussler, G. ; Fox, A. ; Breuer, U. ; Hartmann, J-M. ; Mantl, S. ; Buca, D. | IEEE | 2014Highly tensile strained Ge(Sn) layers epitaxially grown on GeSn strain relaxed buffer layer have been presented. Electrical characterization exhibits good interfacial quality of the high-k gate stacks employing HfO2 on Ge and strained Ge. These [...]
