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Autor Calle, F. |
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Gao, Z. ; Romero, M.F. ; Pampillón Arce, María Ángela ; San Andres Serrano, Enrique ; Calle, F. | IEEE | 2015Thermal stability of AlGaN/GaN MOS-HEMTs and -diodes using Gd_(2)O_(3) are investigated by means of different thermal cycles and storage tests up to 500ºC for one week. IV DC and pulsed characteristics of the devices before and after the process[...]