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Título:
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Depósito de películas de SiOxNyHz mediante la técnica ECR-PECVD, caracterización y estabilidad térmica
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Autores:
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Prado Millán, Álvaro del
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Tipo de documento:
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texto impreso
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Editorial:
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Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones, 2002
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Dimensiones:
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application/pdf
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Nota general:
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info:eu-repo/semantics/openAccess
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Idiomas:
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Palabras clave:
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Estado = Publicado
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Materia = Ciencias: Física: Electrónica
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Tipo = Tesis
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Resumen:
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En este trabajo se estudia el depósito de películas delgadas de SiOxNyHz mediante la técnica de plasma de resonancia ciclotrónica de electrones (ECR-PECVD), utilizando SiH4, O2 y N2 como gases precursores, así como las propiedades de dichas películas y su estabilidad térmica ante tratamientos de recocido rápido (RTA).El SiOxNyHz es un material de gran interés en la industria microelectrónica debido a la posibilidad de obtener propiedades intermedias entre las del nitruro de silicio y el óxido de silicio mediante el control de la composición. La técnica de depósito utilizada ofrece numerosas ventajas. La más importante es el depósito de películas a baja temperatura, satisfaciendo las necesidades de la escala de integración ultra alta. Se ha analizado con detalle la composición de las películas depositadas mediante distintas técnicas (AES, EDX, RBS y HI-ERDA) y se han comparado los resultados obtenidos. Debido a su capacidad para determinar la concentración absoluta de todos los elementos presentes en el SiOxNyHz, incluyendo el H, la técnica HI-ERDA es la idónea para caracterizar este material. El H se incorpora al material en forma de enlaces N-H y Si-H y como H no ligado. La concentración de H es aproximadamente proporcional al contenido de N. Los parámetros de depósito que determinan la composición son las relaciones de flujos de gases precursores "R = [f(O2)+f(N2)]/f(SiH4)", que determina la riqueza en Si del material y "Q = f(O2)/f(SiH4)", que determina la incorporación relativa de O y N. Mediante el adecuado control de estos parámetros se pueden obtener películas con composiciones en todo el rango entre nitruro y óxido. Se ha encontrado que las muestras depositadas con R
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En línea:
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https://eprints.ucm.es/id/eprint/4554/1/T25912.pdf
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