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Título:
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Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos
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Autores:
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Martín Pacheco, Jaime Miguel
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Tipo de documento:
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texto impreso
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Editorial:
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Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones, 1995-01-25
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Dimensiones:
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application/pdf
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Nota general:
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info:eu-repo/semantics/openAccess
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Idiomas:
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Palabras clave:
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Estado = Publicado
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Materia = Ciencias: Informática: Telecomunicaciones
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Materia = Ciencias: Física: Electricidad
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Tipo = Tesis
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Resumen:
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La presente tesis muestra en primer lugar los sistemas de control diseñados y desarrollados para conseguir el perfecto funcionamiento del implantador de la facultad de físicas. Se presenta luego un completo estudio de la obtención por implantación de capas tipo n (por implantaciones de si y si/p), tipo p (con mg, mg/p o mg/ar) y capas de alta resistividad (por he y ti) en inp, tanto desde el punto de vista eléctrico (medidas de resistividad y efecto hall y de sims) como óptico (por fotoluminiscencia y espectroscopia raman). Finalmente, se describen las características en continua y alterna de uniones schottky y p-n, realizadas por implantación tanto en sustratos semiaislantes como en sustratos con conductividad tipo n o p. Las medidas en alterna incluyeron las técnicas de espectroscopia de admitancias y dlts, y pusieron de manifiesto la aparición de varios niveles profundos debidos al tratamiento de rta aplicado, asi como otros debidos a defectos introducidos por la implantación.
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En línea:
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https://eprints.ucm.es/id/eprint/1940/1/T19941.pdf
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