Título:
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Elipsometría espectral y espectroscopías de modulación en aleaciones y superredes semiconductoras
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Autores:
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Rodríguez Martín, José María
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Tipo de documento:
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texto impreso
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Editorial:
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Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones, 1991
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Dimensiones:
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application/pdf
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Nota general:
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info:eu-repo/semantics/openAccess
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Idiomas:
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Palabras clave:
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Estado = Publicado
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Materia = Ciencias: Física: Física del estado sólido
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Tipo = Tesis
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Resumen:
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En este trabajo se realiza el estudio de las propiedades ópticas de dos conjuntos de semiconductores iii-v: aleaciones y superredes. Para ello las técnicas utilizadas son aquellas sensibles a los diferentes procesos de absorción o transiciones ópticas directas en el espacio de momentos, estas tecnicas fueron la elipsometría espectral y un conjunto de espectroscopías de modulación: piezorreflectancia, electrorreflectancia y fotorreflectancia. El estudio realizado en las aleaciones esta enfocado en la variación con la composición de al de las transiciones eo y es en dos tipos de aleaciones: arinas y algap. Por otra parte se efectúa un estudio similar, en varios conjuntos de superredes semiconductoras. Las superredes estudiadas abarcan desde superredes gaas/alas con prácticamente nulo desajuste en su parámetro de red. Hasta las superredes inas/alas de capas altamente tensionadas debido al fuerte desajuste de red entre sus constituyentes, pasando por el caso intermedio de las superredes gaas/gap. Los datos experimentales relativos a la transición e1 se explican teniendo en cuenta la importancia relativa de efectos de confinamiento y efectos de las tensiones. Por ultimo, en superredes inas/apas se establece el valor del band-offset en este tipo de heterouniones.
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En línea:
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https://eprints.ucm.es/id/eprint/1877/1/T16956.pdf
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