Título:
|
Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si
|
Autores:
|
Mazuelas Esteban, Ángel
|
Tipo de documento:
|
texto impreso
|
Editorial:
|
Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones, 1992-12-17
|
Dimensiones:
|
application/pdf
|
Nota general:
|
info:eu-repo/semantics/openAccess
|
Idiomas:
|
|
Palabras clave:
|
Estado = Publicado
,
Materia = Ciencias: Física: Física del estado sólido
,
Tipo = Tesis
|
Resumen:
|
Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
|
En línea:
|
https://eprints.ucm.es/id/eprint/1895/1/T18102.pdf
|