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Autor Blanco, N |
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González Díaz, Germán ; Artús, L. ; Blanco, N ; Cuscó, R. ; Hernández, S. | American Institute of Physics | 2003-03-01Raman scattering has been used to study the lattice recovery and electrical activation of Si+-implanted In0.53Ga0.47 As achieved by rapid thermal annealing. The degree of crystallinity recovery, of totally amorphized samples is studied for annea[...]