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Nogales Díaz, Emilio ; Martin, R. V. ; O'Donnell, K. P. ; Lorenz, K. ; Alves, E. ; Ruffenach, S. ; Briot, O. | American Institute of Physics | 2006-01-16The structural properties of nanometric AlN caps, grown on GaN to prevent dissociation during high temperature annealing after Eu implantation, have been characterized by scanning electron microscopy and electron probe microanalysis. The caps pr[...]
