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Autor Martín Holgado, Pedro |
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Rezaei, Mohammadreza ; Martín Holgado, Pedro ; Morilla, Yolanda ; Franco Peláez, Francisco Javier ; Fabero Jiménez, Juan Carlos ; Mecha López, Hortensia ; Puchner, Helmut ; Hubert, Guillaume ; Clemente Barreira, Juan Antonio | IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc | 2020-10This article presents an experimental study on the sensitivity of a commercial-off-the-shelf (COTS) bulk 65-nm static random access memory (SRAM) under 15.6 MeV proton irradiation when powered up at ultralow bias voltage. Tests were run on stand[...]